Grobi silicijev karbid
Silicijev karbid 100 zrnc Opis
Tretja-generacija polprevodniških-močnostnih močnostnih elektronskih naprav, ki jih predstavlja SiC, je ena najhitreje rastočih močnostnih polprevodniških naprav na področju močnostne elektronike.
Silicijev karbid kot tipičen predstavnik tretje generacije polprevodniških materialov, pa tudi najbolj zrela tehnologija proizvodnje kristalov in raven izdelave naprav, eden najpogosteje uporabljenih širokopasovnih polprevodniških materialov, je oblikoval globalno verigo industrije materialov, naprav in aplikacij. Je idealen polprevodniški material za visoko-temperaturo, visoko-frekvenčnost,-odpornost na sevanje in visoko-zmogljivost.
Specifikacija izdelkov iz silicijevega karbida
Dobavitelji izdelkov iz silicijevega karbida-ZhenAn International
| TIPIČNA KEMIJSKA ANALIZA | |
| SiC | 99.05% |
| SiO2 | 0.20% |
| F, Si | 0.03% |
| Fe2O3 | 0.10% |
| F.C | 0.04% |
| TIPIČNE FIZIKALNE LASTNOSTI | |
| Trdota: | Mohs: 9,5 |
| Tališče: | Sublimira pri 2600 stopinjah |
| Najvišja delovna temperatura: | 1900 stopinj |
| Specifična teža: | 3,2 g/cm³ |
| Nasipna gostota (LPD): | 1,2-1,6 g/cm3 |
| barva: | zelena |
| Oblika delcev: | Šesterokotna |
Proizvajalec zrnatosti silicijevega karbida 100-ZhenAn International

Dobavitelj prahu SiC-ZhenAn

Mehanske lastnosti:visoka trdota (trdota po Kjeldahlu 3000 kg/mm²), lahko reže rubin; visoka odpornost proti obrabi, takoj za diamantom.
Toplotne lastnosti:toplotna prevodnost presega kovinski baker, 3-krat večja od Si in 8- do 10-krat večja od GaAs, dobro odvajanje toplote, zelo pomembno za naprave z veliko močjo.
Kemijske lastnosti:odpornost proti koroziji je zelo močna, pri sobni temperaturi se lahko upre skoraj vsem znanim korozivnim sredstvom. Enostavna oksidacija površine SiC za ustvarjanje tanke plasti SiO2 lahko prepreči njegovo nadaljnjo oksidacijo pri višjih od 1700 stopinjah, ta plast oksidnega filma se tali in hitro oksidira. SiC se lahko raztopi v staljenem oksidacijskem materialu.
Električne lastnosti:Pasovna vrzel 4H-SiC in 6H-SiC je približno 3-krat večja od Si, 2-krat večja od GaAs; njegova prebojna električna poljska jakost je za en red velikosti višja kot pri Si, hitrost drifta nasičenih elektronov pa je 2,5-krat večja od Si. 4H-SiC ima širšo pasovno vrzel kot 6H-SiC.
Silicijev karbid zrnatosti 36 Fotografije obiska strank

pogosta vprašanja
V: Ali je cena po dogovoru?
O: Da, če imate kakršna koli vprašanja, nas kontaktirajte kadar koli. Za stranke, ki želijo povečati trg, se bomo potrudili, da jih podpremo.
V: Ali lahko priskrbite brezplačne vzorce?
O: Da, strankam lahko zagotovimo brezplačne vzorce, da preverijo kakovost ali opravijo kemične analize, vendar nam povejte podrobne zahteve, da lahko pripravimo prave vzorce.
V: Kdaj lahko dostavite blago?
A: Običajno lahko blago dostavimo v 15-20 dneh po prejemu predplačila ali izvirnega L/C.
V: Ali lahko predložite poročilo o preskusu, ki ga je izdal SGS ali inšpekcija druge -tretje osebe?
O: Da, lahko, če stranke zahtevajo-poročila o preskusih tretjih oseb.
Iskreno upamo, da bomo vaš partner, pozdravljamo nove in stare stranke, da obiščejo vodnik, kot tudi različne oblike pogovorov o trgovinskem sodelovanju!
Priljubljena oznake: grobi silicijev karbid, Kitajska grobi silicijev karbid proizvajalci, dobavitelji, tovarna
Morda vam bo všeč tudi
Pošlji povpraševanje









