Črni karborund
Črni karborund Opis
V naslednjih nekaj letih se bo delež-velikih epitaksialnih rezin iz silicijevega karbida povečeval iz leta v leto. Ker 4-palčni substrat iz silicijevega karbida in epitaksialna tehnologija postajata vse bolj zrela, zato ponudbe 4-palčne epitaksialne rezine iz silicijevega karbida ni več, njen prihodnji prostor za znižanje cen je omejen. Poleg tega, čeprav so sedanji mednarodni napredni proizvajalci razvili 8-palčni substrat iz silicijevega karbida, bo njegov vstop na trg proizvodnje napajalnih naprav iz silicijevega karbida dolg proces, s postopnim zorenjem 8-palčne epitaksialne tehnologije iz silicijevega karbida se lahko prihodnost pojavi 8-palčna proizvodna linija napajalnih naprav iz silicijevega karbida.
Če vas zanimajo naši izdelki, nas kontaktirajte zdaj! Naše izdelke lahko prilagodimo glede na zahteve kupcev!
Specifikacija črnega silicijevega karbida v prahu
Dobavitelji črnega silicijevega karbida v prahu-ZhenAn International
|
Izdelek |
Silicijev karbid |
||
|
Št. CAS: |
409-21-2 |
||
|
Čistost |
99 %min |
Količina: |
500,00 kg |
|
serija št. |
20120802 |
Velikost |
1um |
|
Datum izdelave: |
8. december 2020 |
Datum testa: |
. 08. december 2020 |
|
Preizkusni predmet |
Specifikacija |
Rezultati |
|
|
SiC |
>99% |
>99% |
|
|
Fe2O3 |
<0.25% |
0.008% |
|
|
F.C |
<0.25% |
0.02% |
|
|
pribl |
<0.1% |
0.001% |
|
|
Mg |
<0.1% |
0.003% |
|
|
Cu |
<0.1% |
0.002% |
|
|
Trdota (mohs) |
9.15 |
potrjeno |
|
|
Tališče (stopnja) |
2250 |
potrjeno |
|
|
Najvišja delovna temperatura (stopinja) |
1900 |
potrjeno |
|
Proizvajalec silicijevega karbida zrnatosti 80-ZhenAn International
60 90 Dobavitelj zrnatega silicijevega karbida-ZhenAn International
Epitaksija s silicijevim karbidom v glavnem rešuje dva glavna problema: epitaksialni nadzor enotnosti rezin in epitaksialni nadzor napak.
(1) Nadzor enakomernosti epitaksialne rezine zaradi povečanja velikosti epitaksialne rezine pogosto spremlja upad enakomernosti epitaksialne rezine, zato je kontrola enakomernosti epitaksialne rezine velike -velikosti ključna za izboljšanje izkoristka in zanesljivosti naprave ter nato zmanjšanje stroškov.
(2) Nadzor epitaksialnih napak. Dislokacija osnovne kristalne ravnine (BPD) je pomembna kristalna napaka, ki vpliva na stabilnost bipolarnih močnostnih naprav iz silicijevega karbida, stalno zmanjševanje gostote BPD pa je glavna smer za razvoj tehnologije epitaksialne rasti. Zaradi visoke gostote BPD substratov iz silicijevega karbida, pripravljenih s fizičnim vremenskim transportom (PVT), večina BPD v epitaksialni plasti, ki so škodljivi za napravo, izvira iz prodiranja BPD v substratu v epitaksialno plast. Zato lahko izboljšanje kakovosti kristalizacije substrata učinkovito zmanjša gostoto dislokacij BPD v epitaksialni plasti.
Silicijev karbidni prah granulacije 1500 Fotografije obiska strank
pogosta vprašanja
V: Ali ste proizvajalec?
O: Da, smo proizvajalec s sedežem v mestu Anyang v provinci Henan. Kot profesionalni dobavitelj metalurških surovin vedno postavljamo kakovost izdelkov na prvo mesto. Uporabljamo najnaprednejšo opremo in tehnologijo od nadzora surovin, proizvodnega procesa in sistema nadzora kakovosti, da zagotovimo, da naši izdelki izpolnjujejo industrijske standarde in potrebe strank.
V: Kakšne plačilne pogoje sprejemate?
O: Za majhno naročilo lahko plačate s T/T, Western Union ali Paypal, običajno naročilo s T/T ali LC na račun našega podjetja
V: Kako lahko dobim vzorec črnega karborunda?
O: Na voljo so brezplačni vzorci, vendar bodo stroški prevoza bremenili vaš račun in stroški vam bodo v prihodnosti vrnjeni ali odšteti od vašega naročila.
V: Kako potrditi kakovost izdelka pred oddajo naročil?
O: Za nekatere izdelke lahko dobite brezplačne vzorce, plačati morate le stroške pošiljanja ali se dogovoriti s kurirjem, da nam vzame vzorce. Lahko nam pošljete svoje specifikacije izdelka in zahteve, izdelke bomo izdelali v skladu z vašimi zahtevami.
Priljubljena oznake: črni karborund, Kitajska črni karborund proizvajalci, dobavitelji, tovarna
Naslednji
Črni silicijev karbidMorda vam bo všeč tudi
Pošlji povpraševanje