Silicon Carbide Media
100 Grit Silicon Carbide
120 Grit Silicon Carbide
1200 Grit Silicon Carbide

Medij iz silicijevega karbida

Mediji iz silicijevega karbida v polprevodniku v glavni obliki obstoja so substratni materiali, ki temeljijo na njegovih odličnih lastnostih, meja uporabe substrata iz silicijevega karbida je boljša od silicijevega substrata.

Pošlji povpraševanje

Predstavitev izdelka

Silicijev karbid granulacije 100 Opis

Silicijev karbid v polprevodniku v obstoju glavne oblike je kot material substrata, ki temelji na njegovih odličnih lastnostih, uporaba mejne zmogljivosti substrata silicijevega karbida je boljša od silicijevega substrata, substrat silicijevega karbida lahko ustreza visoki temperaturi, visokemu tlaku , visoke frekvence, visoke moči in drugih pogojev uporabe, se trenutni substrat iz silicijevega karbida uporablja za radiofrekvenčne naprave in napajalne naprave.

Če vas zanimajo naši izdelki, nas kontaktirajte zdaj! Naše izdelke lahko prilagodimo glede na zahteve kupcev!

Specifikacija silicijevega karbida granulacije 120

Dobavitelji silicijevega karbida zrnatosti 120-ZhenAn International

Postavka	Sic	F.C	Fe2O3	Vlaga
SiC 86	86% min	2,4 % maks	2.0% maks	0.2 % največ
SiC 88	88 %min	2,3 % maks	2.0% maks	0.2 % največ
SiC90	90 %min	2.0% maks	1,8 % maks	0.2 % največ
SiC92	92 %min	1,8 % maks	1,7 % maks	0.2 % največ
SiC93	93 %min	1,8 % maks	1,6 % maks	0.2 % največ
SiC 95	95% min	1.0% maks	1,3% maks	0.2 % največ
SiC97	97 %min	0.8 % največ	1,2% maks	0.2 % največ
SiC97.5	97,5 %min	0.8 % največ	0.9 % največ	0.2 % največ
SiC98	98 %min	0.5 % največ	0.5 % največ	0.2 % največ

Profesionalni dobavitelj silicijevega karbida 1200-ZhenAn

1200 Grit Silicon Carbide Professional supplier-ZhenAn

Proizvajalec silicijevega karbida z granulacijo 180 - ZhenAn International

180 Grit Silicon Carbide manufacturer-ZhenAn International

Prednosti naprav iz silicijevega karbida so naslednje:

(1)visokonapetostna odpornost.Razpadna električna poljska jakost je velika, 10-krat večja od silicija, z napravami iz silicijevega karbida je mogoče pripraviti, da močno izboljšajo vzdržljivost napetosti, delovno frekvenco in gostoto toka ter močno zmanjšajo izgubo prevodnosti naprave. Tako je v dejanskem postopku uporabe v primerjavi s silicijevo osnovo mogoče oblikovati manjši volumen, približno 1/10 naprav na osnovi silicija.

(2)Odpornost na visoke temperature.Polprevodniške naprave pri višjih temperaturah povzročijo intrinzično vzbujanje nosilcev, kar povzroči okvaro naprave. Večja kot je širina prepovedanega pasu, višja je mejna delovna temperatura naprave. Prepovedani pas silicijevega karbida je skoraj trikrat večji od silicija, kar zagotavlja zanesljivost naprav iz silicijevega karbida, ki delujejo pri visokih temperaturah. Mejna delovna temperatura naprav iz silicijevega karbida na splošno ne sme preseči 300 stopinj, medtem ko lahko mejna delovna temperatura naprav iz silicijevega karbida doseže več kot 600 stopinj. Hkrati je toplotna prevodnost silicijevega karbida višja od silicija, visoka toplotna prevodnost pomaga pri odvajanju toplote naprave iz silicijevega karbida, pri enaki izhodni moči pa vzdržuje nižjo temperaturo, zato je naprava iz silicijevega karbida manj zahtevna pri oblikovanju toplote. disipacijo, kar pomaga doseči miniaturizacijo naprave.

(3) Doseganje visokofrekvenčnega delovanja Hitrost odnašanja elektronov nasičenosti s silicijevim karbidom je velika, dvakrat večja od silicija, kar določa, da lahko naprava iz silicijevega karbida doseže višjo delovno frekvenco in večjo gostoto moči. Hkrati je izguba energije substrata iz silicijevega karbida manjša. Pri enaki napetosti in frekvenci pretvorbe pri 400 V je izguba energije pretvornika MOSFET iz silicijevega karbida približno 29 %-60 % izgube energije IGBT na osnovi silicija; pri 800 V je izguba energije pretvornika MOSFET iz silicijevega karbida približno 30 %-50 % izgube energije IGBT na osnovi silicija. Tako je izguba energije naprav iz silicijevega karbida veliko manjša.

Silicijev karbidni prah zrnatosti 180 Fotografije obiska strank

180 Grit Silicon Carbide Powder Customer visit photos

pogosta vprašanja

V: Ali ste proizvajalec?

O: Da, smo proizvajalec s sedežem v mestu Anyang v provinci Henan. Kot profesionalni dobavitelj metalurških surovin vedno postavljamo kakovost izdelkov na prvo mesto. Uporabljamo najnaprednejšo opremo in tehnologijo od nadzora surovin, proizvodnega procesa in sistema nadzora kakovosti, da zagotovimo, da naši izdelki izpolnjujejo industrijske standarde in potrebe strank.

V: Kakšne plačilne pogoje sprejemate?

O: Za majhno naročilo lahko plačate s T/T, Western Union ali Paypal, običajno naročilo s T/T ali LC na račun našega podjetja

V: Kako lahko dobim vzorec medijev iz silicijevega karbida?

O: Na voljo so brezplačni vzorci, vendar bodo stroški prevoza bremenili vaš račun in stroški vam bodo vrnjeni ali odšteti od vašega naročila v prihodnosti.

V: Kako potrditi kakovost izdelka pred oddajo naročil?

O: Za nekatere izdelke lahko dobite brezplačne vzorce, plačati morate le stroške pošiljanja ali se dogovoriti s kurirjem, da nam vzame vzorce. Lahko nam pošljete svoje specifikacije izdelka in zahteve, izdelke bomo izdelali v skladu z vašimi zahtevami.

Priljubljena oznake: mediji iz silicijevega karbida, proizvajalci, dobavitelji, tovarna medijev iz silicijevega karbida na Kitajskem

Par

Naslednji

Morda vam bo všeč tudi

Pošlji povpraševanje