W. Zhu et al. so izdelali ultrafine prahove visoke čistosti pri 1200 ~ 1400 stopinjah s kemičnim nanašanjem iz pare z uporabo silana in acetilena kot reakcijskih plinov ter vodika kot nosilnega plina. Z uporabo heksametilsilana kot reakcijskega vira ter vodika in argona kot nosilnih plinov, Anaguta et al. izdelal tudi ultrafine prahove silicija visoke čistosti visoke čistosti s kemičnim naparjevanjem pri 1050 ~ 1250 stopinjah.
Člani obeh raziskovalnih skupin so uporabili kemično nanašanje iz pare za izdelavo prahu silicija visoke čistosti z uporabo virov organskega plina. Vendar pa so bili izdelani ultrafini praški nanometrski. Čeprav je čistost visoka, ga ni enostavno zbrati in ni primeren za proizvodnjo prahu silicija visoke čistosti visoke čistosti v velikih količinah, kar ne prispeva k kasnejšemu razvoju industrializacije.
Način izdelave z avtomatskim transportom
Ta metoda vzame silicijev prah in saje kot surovi material, doda druge aktivatorje in neposredno reagira pri 1000 ~ 1150 stopinjah, da ustvari prah. Uvedba katalizatorja bo neizogibno vplivala na čistost in kakovost proizvedenega silicijevega prahu visoke čistosti.
Zato so številni raziskovalci na tej podlagi predlagali izboljšano samorazmnoževalno metodo sinteze. Glavna izboljšava je preprečiti uvedbo aktivatorja in zagotoviti neprekinjeno in učinkovito reakcijo izdelave s povišanjem temperature izdelave in neprekinjenim dovodom toplote. Že leta 1999 so na Japonskem praške z velikostjo delcev 10 ~ 500 μm izdelovali z metodo zgorevanja v območju 1700 ~ 2000 stopinj z uporabo etil ortosilikata kot vira silicija in fenolne smole kot vira ogljika, in masni delež vsebnosti nečistoč je bil manjši od 0,5 × 10-6.
Vendar pa reaktanti te metode uporabljajo organske materiale, zato so stroški surovin visoki, kar ne prispeva k obsežni proizvodnji silicijevega prahu visoke čistosti. Raziskovalci na Šanghajskem inštitutu za raziskave silicija Kitajske akademije znanosti so izdelovali pri visoki temperaturi v atmosferi argona z masnimi deleži 99,9 % oziroma 99,999 %.
Raziskovalci so kot vir ogljika (masni delež 99,9 %) uporabili aktivno oglje (velikost delcev 20 ~ 100 μm) in grafit v kosmičih (velikost delcev 5 ~ 25 μm) ter silicij visoke čistosti kot vir silicija (velikost delcev 10 ~ 270 μm). , masni delež 99,999%) oz.
Silicijev prah visoke čistosti je bil pripravljen v vakuumski visokotemperaturni peči za sintranje pri 1900 stopinjah v atmosferi argona. Poskusi so pokazali, da je bila čistost izdelanega v visokem vakuumu boljša od čistosti silicijevega prahu visoke čistosti, izdelanega pod nosilnim plinom. Poleg tega so bili monokristali vzgojeni z uporabo silicijevega prahu visoke čistosti, proizvedenega v visokem vakuumu. Rezultati kažejo, da so gojeni monokristali visoke čistosti in imajo odlične polizolacijske lastnosti, ki izpolnjujejo zahteve sorodnih naprav za električne lastnosti polizolacijskih substratov. Obeti za tehnologijo izdelave prahu visoke čistosti
Izboljšana samorazmnoževalna izdelava je običajna metoda za gojenje monokristalov v laboratoriju zaradi nizkih stroškov surovin in preprostosti. Ugotovljeno je bilo, da različni parametri proizvodnega procesa vplivajo na proizvodne izdelke.
